技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2 Nチャンネル、コモンドレイン、コモンソース（非対称）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 1.1W（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.2V @ 400µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 2.9ミリオーム @ 18A、10V、2.5ミリオーム @ 18A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 21A（Ta）、47A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 32nC @ 10V、31.7nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 2106pF @ 15V、2101pF @ 15V