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DMPH6050SPDWQ-13
DMPH6050SPDWQ-13
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技術: MOSFET(金属酸化物)
構成: 2Pチャンネル(デュアル)
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: 自動車
動作温度: -55°C~175°C(TJ)
電力 - 最大: 1.5W(Ta)
取り付けタイプ: 面実装、濡れ性フランク
Id印加時のVgs(th)(最大): 3V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On(最大): 48ミリオーム @ 5A、10V
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id): 6.3A(Ta)、26A(Tc)
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大): 30.6nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): 1525pF @ 30V
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構成: 2Pチャンネル(デュアル)
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: 自動車
動作温度: -55°C~175°C(TJ)
電力 - 最大: 1.5W(Ta)
取り付けタイプ: 面実装、濡れ性フランク
Id印加時のVgs(th)(最大): 3V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On(最大): 48ミリオーム @ 5A、10V
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id): 6.3A(Ta)、26A(Tc)
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大): 30.6nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): 1525pF @ 30V
