技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: AEC-Q101
FET機能: -
FETタイプ: Pチャンネル
グレード: 自動車
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
Vgs（最大）: ±12V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 1.2W（Ta）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1.5V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: NHD-1.5-128128G、SSD1357
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 20 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 5.5A（Ta）、13A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 19 nC @ 8 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 2.5V、4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 834 pF @ 10 V