技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネルコンプリメンタリ
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: 自動車
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 330mW（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 450ミリオーム @ 600mA、4.5V、750ミリオーム @ 430mA、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 1.066A（Ta）、845mA（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 736.6nC @ 4.5V、0.62nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 60.67pF @ 10V、59.76pF @ 16V