技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネルコンプリメンタリ
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: 自動車
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 580mW（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA、1.25V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 4オーム @ 500mA、10V、72ミリオーム @ 3.5A、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 60V、20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 390mA（Ta）、2.9A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 0.4nC @ 4.5V、7.3nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 41pF @ 25V、443pF @ 16V