技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネルコンプリメンタリ
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: 自動車
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 1.2W（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 25ミリオーム @ 7A、10V、28ミリオーム @ 7A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 7.2A（Ta）、6.8A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 4.6nC @ 4.5V、9.5nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 500pF @ 15V、1188pF @ 15V