技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネルコンプリメンタリ
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: 自動車
動作温度: -55°C～150°C
電力 - 最大: 1.18W（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1.85V @ 250µA、2.1V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 31ミリオーム @ 6A、10V、42ミリオーム @ 4.9A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 20A（Tc）、17A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 8.8nC @ 10V、13.6nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 383pF @ 15V、782pF @ 15V