技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネルコンプリメンタリ
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: 自動車
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 2.6W（Ta）、25W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1.5V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 17ミリオーム @ 11.8A、4.5V、38ミリオーム @ 8.9A、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 12V、20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 10A（Ta）、31.3A（Ta）、6.7A（Ta）、20.9A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 30.4nC @ 8V、19nC @ 8V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1525pF @ 6V、866pF @ 6V