技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネルコンプリメンタリ
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 1.95W（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3V @ 250µA、2.5V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 36ミリオーム @ 5A、10V、45ミリオーム @ 5A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 5.6A（Ta）、4.7A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 5.3nC @ 4.5V、11.8nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 640pF @ 20V、970pF @ 20V