技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: 2 Nおよび2 Pチャンネル（フルブリッジ）
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: 自動車
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 1.5W（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 6A (Ta), 4.2A (Ta)
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V