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DGTD65T50S1PT
DGTD65T50S1PT
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メーカー: Diodes
数量
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~175°C(TJ)
IGBTタイプ: フィールドストップ
ゲート充電: 287 nC
テスト条件: 400V、50A、7.9オーム、15V
入力タイプ: 標準
電力 - 最大: 375 W
取り付けタイプ: スルーホール
逆回復時間(trr): 80 ns
25°CでのTd(オン/オフ): 58ns/328ns
スイッチングエネルギー: 770µJ(電源投入時)、550µJ(電源切断時)
Vce(on)(最大) @ Vge、Ic: 2.4V @ 15V、50A
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100 A
電流 - パルス形コレクタ(Icm): 200 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 650 V
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グレード: -
動作温度: -40°C~175°C(TJ)
IGBTタイプ: フィールドストップ
ゲート充電: 287 nC
テスト条件: 400V、50A、7.9オーム、15V
入力タイプ: 標準
電力 - 最大: 375 W
取り付けタイプ: スルーホール
逆回復時間(trr): 80 ns
25°CでのTd(オン/オフ): 58ns/328ns
スイッチングエネルギー: 770µJ(電源投入時)、550µJ(電源切断時)
Vce(on)(最大) @ Vge、Ic: 2.4V @ 15V、50A
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100 A
電流 - パルス形コレクタ(Icm): 200 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 650 V
