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DGD2104S8-13
DGD2104S8-13
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メーカー: Diodes
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~150°C(TJ)
駆動構成: ハーフブリッジ
ドライバ数: 2
入力タイプ: 非反転
電圧 - 供給: 10V~20V
ゲートタイプ: IGBT、MOSFET(Nチャンネル)
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: 同期
論理電圧 - VIL、VIH: 0.8V、2.5V
DigiKeyプログラマブル: 未検証
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 70ns、35ns
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 290mA、600mA
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): 600 V
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グレード: -
動作温度: -40°C~150°C(TJ)
駆動構成: ハーフブリッジ
ドライバ数: 2
入力タイプ: 非反転
電圧 - 供給: 10V~20V
ゲートタイプ: IGBT、MOSFET(Nチャンネル)
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: 同期
論理電圧 - VIL、VIH: 0.8V、2.5V
DigiKeyプログラマブル: 未検証
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 70ns、35ns
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 290mA、600mA
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): 600 V
