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DG1409EEN-T1-GE4
DG1409EEN-T1-GE4
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メーカー: Vishay Siliconix
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数量
認定: -
回路数: 1
グレード: -
動作温度: -40°C~125°C(TA)
帯域幅-3db: 90MHz
クロストーク: -64dB @ 1MHz
スイッチ回路: DP4T
取り付けタイプ: 面実装
オン状態抵抗値(最大): 4.2オーム
チャージインジェクション: 103pC
電圧 - 供給、シングル(V+): 4.5V~24V
電圧 - 供給、デュアル(V±): ±4.5V~16.5V
スイッチ時間(Ton、Toff)(最大): 130ns、105ns
電流 - リーケージ(IS(off))(最大): 550pA
チャンネル静電容量(CS(off)、CD(off)): 13pF、43pF
チャンネル~チャンネル適合(ΔRon): 270ミリオーム
マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路: 4:1
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回路数: 1
グレード: -
動作温度: -40°C~125°C(TA)
帯域幅-3db: 90MHz
クロストーク: -64dB @ 1MHz
スイッチ回路: DP4T
取り付けタイプ: 面実装
オン状態抵抗値(最大): 4.2オーム
チャージインジェクション: 103pC
電圧 - 供給、シングル(V+): 4.5V~24V
電圧 - 供給、デュアル(V±): ±4.5V~16.5V
スイッチ時間(Ton、Toff)(最大): 130ns、105ns
電流 - リーケージ(IS(off))(最大): 550pA
チャンネル静電容量(CS(off)、CD(off)): 13pF、43pF
チャンネル~チャンネル適合(ΔRon): 270ミリオーム
マルチプレクサ/デマルチプレクサ回路: 4:1
