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CYT3BB8CEBR1AESGST
CYT3BB8CEBR1AESGST
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メーカー: Infineon
数量
I/O数: 148
認定: -
速度: 100MHz、250MHz
接続性: CANbus、Ethernet、I2C、LINbus、eMMC/SD、SPI、UART/USART
RAMサイズ: 768K x 8
グレード: -
動作温度: -40°C~105°C(TA)
EEPROMサイズ: 256K x 8
コアサイズ: 32ビットデュアルコア
ペリフェラル: ブラウンアウト検出/リセット、DMA、I2S、LVD、POR、PWM、WDT
発振器タイプ: 外部、内部
コアプロセッサ: ARM® Cortex®-M0+、ARM® Cortex®-M7F
取り付けタイプ: 面実装
データコンバータ: A/D 64x12b SAR
DigiKeyプログラマブル: -
電圧 - 電源(Vcc/Vdd): 2.7V~5.5V
プログラムメモリサイズ: 4.0625MB(4.0625M x 8)
プログラムメモリタイプ: フラッシュ
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認定: -
速度: 100MHz、250MHz
接続性: CANbus、Ethernet、I2C、LINbus、eMMC/SD、SPI、UART/USART
RAMサイズ: 768K x 8
グレード: -
動作温度: -40°C~105°C(TA)
EEPROMサイズ: 256K x 8
コアサイズ: 32ビットデュアルコア
ペリフェラル: ブラウンアウト検出/リセット、DMA、I2S、LVD、POR、PWM、WDT
発振器タイプ: 外部、内部
コアプロセッサ: ARM® Cortex®-M0+、ARM® Cortex®-M7F
取り付けタイプ: 面実装
データコンバータ: A/D 64x12b SAR
DigiKeyプログラマブル: -
電圧 - 電源(Vcc/Vdd): 2.7V~5.5V
プログラムメモリサイズ: 4.0625MB(4.0625M x 8)
プログラムメモリタイプ: フラッシュ
