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CYDC064B08-55AXI
CYDC064B08-55AXI
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技術: SRAM - デュアルポート、MoBL
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 8K x 8
電圧 - 供給: 1.7V~1.9V、2.4V~2.6V、3V~3.6V
アクセス時間: 55 ns
メモリサイズ: 64Kビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 55ns
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動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 8K x 8
電圧 - 供給: 1.7V~1.9V、2.4V~2.6V、3V~3.6V
アクセス時間: 55 ns
メモリサイズ: 64Kビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 55ns
