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CYD36S36V18-167BGXI
CYD36S36V18-167BGXI
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メーカー: Infineon
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技術: SRAM - デュアルポート、同期
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 1M x 36
電圧 - 供給: 1.42V~1.58V、1.7V~1.9V
アクセス時間: 4 ns
メモリサイズ: 36Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 167 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 1M x 36
電圧 - 供給: 1.42V~1.58V、1.7V~1.9V
アクセス時間: 4 ns
メモリサイズ: 36Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 167 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
