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CYD02S36V18-200BBXC
CYD02S36V18-200BBXC
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メーカー: Infineon
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技術: SRAM - デュアルポート、同期
認定: -
グレード: -
動作温度: 0°C~70°C(TA)
メモリ構成: 64K x 36
電圧 - 供給: 1.7V~1.9V
アクセス時間: 3.3 ns
メモリサイズ: 2Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 200 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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認定: -
グレード: -
動作温度: 0°C~70°C(TA)
メモリ構成: 64K x 36
電圧 - 供給: 1.7V~1.9V
アクセス時間: 3.3 ns
メモリサイズ: 2Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 200 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
