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CYD02S18V-133BBI
CYD02S18V-133BBI
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メーカー: Cypress Semiconductor Corp
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技術: SRAM - デュアルポート、標準
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 128K x 18
電圧 - 供給: 1.7V~1.9V
アクセス時間: 4.7 ns
メモリサイズ: 2Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 133 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 128K x 18
電圧 - 供給: 1.7V~1.9V
アクセス時間: 4.7 ns
メモリサイズ: 2Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 133 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
