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CY14B116S-BZ35XIT
CY14B116S-BZ35XIT
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技術: NVSRAM(不揮発性SRAM)
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 512K x 32
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: 35 ns
メモリサイズ: 16Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: NVSRAM
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 35ns
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 512K x 32
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: 35 ns
メモリサイズ: 16Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: NVSRAM
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 35ns
