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CY10E484-4DC
CY10E484-4DC
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メーカー: Cypress Semiconductor Corp
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技術: SRAM - 非同期
動作温度: 0°C~75°C(TA)
メモリ構成: 4K x 4
電圧 - 供給: 4.94V~5.46V
アクセス時間: 4 ns
メモリサイズ: 16Kビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: スルーホール
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 4ns
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動作温度: 0°C~75°C(TA)
メモリ構成: 4K x 4
電圧 - 供給: 4.94V~5.46V
アクセス時間: 4 ns
メモリサイズ: 16Kビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: スルーホール
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 4ns
