技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
認定: -
FET機能: 論理レベルゲート
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 6W
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.1V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 9.6ミリオーム @ 14A、8V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 25V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 20A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 6.2nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 920pF @ 12.5V