技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
Vgs（最大）: +10V、-8V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 3.1W（Ta）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 1.4V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 5ミリオーム @ 20A、8V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 25 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 21A（Ta）、97A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 9.7 nC @ 4.5 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 3V、8V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1365 pF @ 12.5 V