技術: SiCFET（炭化ケイ素）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
Vgs（最大）: +25V、-5V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 313mW（Tj）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 4V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 110ミリオーム @ 20A、20V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 50A（Tj）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 90.8 nC @ 20 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1915 pF @ 800 V