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CIG32W1R0MNE
CIG32W1R0MNE
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タイプ: 多層
定格値: -
シールド: シールド付き
動作温度: -40°C~125°C
許容誤差: ±20%
材料 - コア: -
サイズ/寸法: 長さ0.126インチ x 幅0.098インチ(3.20mm x 2.50mm)
定格電流(A): 1.5 A
インダクタンス: 1 µH
取り付けタイプ: 面実装
直流抵抗(DCR): 60ミリオーム
周波数あたりのQ: -
周波数 - 自己共振: -
電流 - 飽和 (Isat): 2.7A
高さ - 座高(最大): -
インダクタンス周波数 - テスト: 1 MHz
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定格値: -
シールド: シールド付き
動作温度: -40°C~125°C
許容誤差: ±20%
材料 - コア: -
サイズ/寸法: 長さ0.126インチ x 幅0.098インチ(3.20mm x 2.50mm)
定格電流(A): 1.5 A
インダクタンス: 1 µH
取り付けタイプ: 面実装
直流抵抗(DCR): 60ミリオーム
周波数あたりのQ: -
周波数 - 自己共振: -
電流 - 飽和 (Isat): 2.7A
高さ - 座高(最大): -
インダクタンス周波数 - テスト: 1 MHz
