技術: GaNFET（窒化ガリウム）
認定: -
FET機能: 電流センシング
FETタイプ: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
Vgs（最大）: +20V、-1V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: -
Id印加時のVgs（th）（最大）: 4.2V @ 2.75mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 280ミリオーム @ 600mA、12V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 8.5A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 1.4 nC @ 12 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 9V、20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: -