技術: pHEMT FET
構成: -
認定: -
ゲイン: 12.2dB
周波数: 12GHz
グレード: -
雑音指数: 0.62dB
電圧 - 定格: 4 V
電源 - 出力: 125mW
電圧 - テスト: 2 V
電流 - テスト: 15 mA
定格電流（A）: 68mA
取り付けタイプ: -