技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～155°C（TJ）
Vgs（最大）: +7V、-6V
取り付けタイプ: 面実装、濡れ性フランク
電力散逸（最大）: 1.1W（Ta）、113W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 17.2mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 140ミリオーム @ 5A、6V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 700 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 18A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 3.5 nC @ 6 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 6V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 125 pF @ 400 V