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CDF56G6511N TR13 PBFREE
CDF56G6511N TR13 PBFREE
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メーカー: Central Semiconductor Corp
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技術: GaNFET（窒化ガリウム）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
Vgs（最大）: +7V、-1.4V
取り付けタイプ: 面実装、濡れ性フランク
電力散逸（最大）: 1.1W（Ta）、84W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 12.2mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 190ミリオーム @ 3.9A、6V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 11.5A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 2.8 nC @ 6 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 6V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 96 pF @ 400 V
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認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
Vgs（最大）: +7V、-1.4V
取り付けタイプ: 面実装、濡れ性フランク
電力散逸（最大）: 1.1W（Ta）、84W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 12.2mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 190ミリオーム @ 3.9A、6V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 11.5A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 2.8 nC @ 6 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 6V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 96 pF @ 400 V
