技術: GaNFET（窒化ガリウム）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
Vgs（最大）: +6V、-4V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 200mW（Ta）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.1V @ 7mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 7ミリオーム @ 20A、5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 150 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 60A（Tj）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 13 nC @ 5 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1450 pF @ 75 V