技術: SiCFET（炭化ケイ素）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -65°C ~ 195°C (TA)
Vgs（最大）: +20V、-5V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 155W（Ta）
Id印加時のVgs（th）（最大）: -
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 45mOhm @ 40A, 20V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1700 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 50A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 150 nC @ 18 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 15V、20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1.7 nF @ 1 kV