技術: SiCFET（炭化ケイ素）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: -
グレード: -
動作温度: -40°C～175°C（TJ）
Vgs（最大）: -
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: -
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.4V @ 5mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 85ミリオーム @ 10A、 15V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: -
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 20A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 16 nC @ 5 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 810 pF @ 200 V