技術: SiCFET（炭化ケイ素）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: 175°C（TJ）
Vgs（最大）: +20V、-5V
取り付けタイプ: スルーホール
電力散逸（最大）: 135W
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.9V @ 10mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 70mOhm @ 10A, 20V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 33A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 90 nC @ 18 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 15V、20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 930 pF @ 1000 V