技術: シリコンカーバイド（SiC）
構成: Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 510W
取り付けタイプ: シャーシマウント
Id印加時のVgs（th）（最大）: 4V @ 76mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 10.5ミリオーム @ 160A、15V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 2300V（2.3kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 150A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 590nC @ 15V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 24400pF @ 1.5kV