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CAB530M12BM3
CAB530M12BM3
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メーカー: Wolfspeed, Inc.
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数量
技術: シリコンカーバイド（SiC）
構成: 2 Nチャンネル（デュアル）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: -
取り付けタイプ: シャーシマウント
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3.6V @ 140mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 3.55ミリオーム @ 530A、15V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200V（1.2kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 530A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 1362nC @ 4V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 39600pF @ 800V
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構成: 2 Nチャンネル（デュアル）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: -
取り付けタイプ: シャーシマウント
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3.6V @ 140mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 3.55ミリオーム @ 530A、15V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200V（1.2kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 530A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 1362nC @ 4V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 39600pF @ 800V
