技術: シリコンカーバイド（SiC）
構成: Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 10mW
取り付けタイプ: シャーシマウント
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3.9V @ 34mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 13.9ミリオーム @ 150A、15V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200V（1.2kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 141A（Tj）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 354nC @ 15V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 11000pF @ 1000V