技術: SiCFET（炭化ケイ素）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
Vgs（最大）: +18V、-8V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 83W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3.5V @ 3mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 155ミリオーム @ 15A、15V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 900 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 22A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 17.3 nC @ 15 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 15V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 350 pF @ 600 V