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BYW29-100-E3/45
BYW29-100-E3/45
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メーカー: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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数量
技術: 標準
認定: -
速度: 高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)
グレード: -
取り付けタイプ: スルーホール
逆回復時間(trr): 25 ns
電流 - 平均整流(Io): 8A
Vr、F印加時の静電容量: 45pF @ 4V、1MHz
動作温度 - ジャンクション: -65°C~150°C
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 10 µA @ 100 V
電圧 - DC逆方向(Vr)(最大): 100 V
電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大): 1.3 V @ 20 A
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認定: -
速度: 高速回復 =< 500ns、> 200mA(Io)
グレード: -
取り付けタイプ: スルーホール
逆回復時間(trr): 25 ns
電流 - 平均整流(Io): 8A
Vr、F印加時の静電容量: 45pF @ 4V、1MHz
動作温度 - ジャンクション: -65°C~150°C
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 10 µA @ 100 V
電圧 - DC逆方向(Vr)(最大): 100 V
電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大): 1.3 V @ 20 A
