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BYV32-200-E3/45
BYV32-200-E3/45
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メーカー: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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数量
技術: 標準
認定: -
速度: 高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）
グレード: -
ダイオード構成: 1組共通カソード
取り付けタイプ: スルーホール
逆回復時間（trr）: 25 ns
動作温度 - ジャンクション: -65°C～150°C
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 10 µA @ 200 V
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）: 200 V
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）: 1.15 V @ 20 A
電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）: 18A
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認定: -
速度: 高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）
グレード: -
ダイオード構成: 1組共通カソード
取り付けタイプ: スルーホール
逆回復時間（trr）: 25 ns
動作温度 - ジャンクション: -65°C～150°C
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 10 µA @ 200 V
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）: 200 V
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）: 1.15 V @ 20 A
電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）: 18A
