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BYC30MW-650PT2Q
BYC30MW-650PT2Q
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メーカー: WeEn Semiconductors
数量
技術: 標準
認定: -
速度: 高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）
グレード: -
取り付けタイプ: スルーホール
逆回復時間（trr）: 38 ns
電流 - 平均整流（Io）: 30A
Vr、F印加時の静電容量: -
動作温度 - ジャンクション: -65°C～175°C
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 30 µA @ 650 V
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）: 650 V
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）: 2.75 V @ 30 A
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認定: -
速度: 高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）
グレード: -
取り付けタイプ: スルーホール
逆回復時間（trr）: 38 ns
電流 - 平均整流（Io）: 30A
Vr、F印加時の静電容量: -
動作温度 - ジャンクション: -65°C～175°C
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 30 µA @ 650 V
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）: 650 V
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）: 2.75 V @ 30 A
