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BY25FQ128ELFIG(R)
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メーカー: BYTe Semiconductor
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技術: FLASH - NOR
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 16M x 8
電圧 - 供給: 1.65V~2V
アクセス時間: 6 ns
メモリサイズ: 128Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 133 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: SPI - クワッドI/O、QPI
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 120μs、2.5ms
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 16M x 8
電圧 - 供給: 1.65V~2V
アクセス時間: 6 ns
メモリサイズ: 128Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 133 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: SPI - クワッドI/O、QPI
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 120μs、2.5ms
