技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
認定: AEC-Q101
FET機能: 論理レベルゲート
グレード: 自動車
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
電力 - 最大: 46W（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.2V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 13.6ミリオーム @ 10A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 42A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 19.4nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1160pF @ 25V