技術: シリコンカーバイド（SiC）
構成: 6 N-Channel（Phase Leg）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -40°C～175°C
電力 - 最大: 385W（Tc）
取り付けタイプ: スルーホール
Id印加時のVgs（th）（最大）: 4.8V @ 30.8mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 19mOhm @ 91A, 18V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 750V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 90A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 170nC @ 18V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 4580pF @ 500V