技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネルコンプリメンタリ
認定: AEC-Q101
FET機能: -
グレード: 自動車
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 200mW（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.5V @ 250µA、2V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 13.5オーム @ 500mA、10V、10オーム @ 100mA、5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 60V、50V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 115mA（Ta）、130mA（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 50pF @ 25V、45pF @ 25V