技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: 論理レベルゲート
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 2W（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2V @ 20µA、2V @ 450µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 110ミリオーム @ 3.1A、10V、300ミリオーム @ 2A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 3.1A（Ta）、2A（Ta）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 22.5nC @ 10V、20nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 380pF @ 25V、460pF @ 25V