技術: シリコンカーバイド（SiC）
構成: 2 Nチャンネル（デュアル）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: 175°C（TJ）
電力 - 最大: 880W
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 5.6V @ 50mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: -
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200V（1.2kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 180A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 900pF @ 10V