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BSM180C12P2E202
BSM180C12P2E202
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メーカー: ROHM Semiconductor
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技術: SiCFET（炭化ケイ素）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: 175°C（TJ）
Vgs（最大）: +22V、-6V
取り付けタイプ: シャーシマウント
電力散逸（最大）: 1360W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 4V @ 35.2mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: -
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 204A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 20000 pF @ 10 V
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認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: 175°C（TJ）
Vgs（最大）: +22V、-6V
取り付けタイプ: シャーシマウント
電力散逸（最大）: 1360W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 4V @ 35.2mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: -
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 204A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 20000 pF @ 10 V
