技術: パワーMOSFET、IGBT
特長: ブートストラップ回路
用途: 汎用
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ（3）
動作温度: -40°C～125°C（TA）
負荷タイプ: 誘導性、容量性
電圧 - 供給: 11.5V～20V
電圧 - 負荷: 600V（最大）
Rds On（標準）: -
フォールト保護: 電流制限、UVLO
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: 論理
電流 - ピーク出力: -
電流 - 出力/チャンネル: 350mA