技術: パワーMOSFET
特長: ブートストラップ回路
用途: DCモータ、汎用
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
負荷タイプ: 静電容量性および抵抗性
電圧 - 供給: -
電圧 - 負荷: 600V
Rds On（標準）: 1.53オーム LS、1.53オーム HS
フォールト保護: 電流制限、過温度、過電圧
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: アナログ、ロジック、PWM
電流 - ピーク出力: -
電流 - 出力/チャンネル: 3A