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BM6GD11BFJ-LBE2
BM6GD11BFJ-LBE2
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メーカー: ROHM Semiconductor
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数量
技術: 磁気性カップリング
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~125°C
承認機関: -
電圧 - 絶縁: 2500Vrms
取り付けタイプ: 面実装
電圧 - 出力電源: 4.5V~6V
電流 - ピーク出力: -
電流 - 出力高、低: 2A、2A
パルス幅歪み(最大): 65ns
伝搬遅延tpLH/tpHL(最大): 60ns、60ns
電圧 - 順方向(Vf)(標準): -
電流 - DC順方向(If)(最大): -
コモンモード過渡耐性(最小): 150kV/µs
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 8ns、8ns
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~125°C
承認機関: -
電圧 - 絶縁: 2500Vrms
取り付けタイプ: 面実装
電圧 - 出力電源: 4.5V~6V
電流 - ピーク出力: -
電流 - 出力高、低: 2A、2A
パルス幅歪み(最大): 65ns
伝搬遅延tpLH/tpHL(最大): 60ns、60ns
電圧 - 順方向(Vf)(標準): -
電流 - DC順方向(If)(最大): -
コモンモード過渡耐性(最小): 150kV/µs
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 8ns、8ns
