ゲイン: 12.5dB～13.5dB
動作温度: 200°C（TJ）
電力 - 最大: 580mW
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 7.5GHz
雑音指数（fあたりの標準dB）: 2.3dB～2.9dB @ 2GHz
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 80mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）: 50 @ 30mA、8V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 12V